臺(tái)積電再加大投入，研發(fā)3nm
文章導(dǎo)讀：臺(tái)積電在過(guò)去五年現(xiàn)已投資逾500億美元在工藝和產(chǎn)品研發(fā)，以臺(tái)積電規(guī)劃打造臺(tái)灣貝爾實(shí)驗(yàn)室的規(guī)劃，預(yù)定今后幾年仍會(huì)投入到數(shù)百億美元在新科技和新材料的產(chǎn)品研發(fā)，繼續(xù)扮演臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊。鑒于摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認(rèn)為是zui后的一代硅基半導(dǎo)體工藝，因?yàn)?nm節(jié)點(diǎn)會(huì)遭遇嚴(yán)重的干擾。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音昨（31）日主持臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（TSIA）年度論壇結(jié)語(yǔ)時(shí)表露，臺(tái)積電會(huì)擴(kuò)大產(chǎn)品研發(fā)能量，將于竹科新建產(chǎn)品研發(fā)中心，打造成臺(tái)灣的貝爾實(shí)驗(yàn)室，預(yù)計(jì)再擴(kuò)增8,000名產(chǎn)品研發(fā)大軍，投入到今后二、三十年科技和材料產(chǎn)品研發(fā)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)研究。
臺(tái)積電在過(guò)去五年現(xiàn)已投資逾500億美元在工藝和產(chǎn)品研發(fā)，以臺(tái)積電規(guī)劃打造臺(tái)灣貝爾實(shí)驗(yàn)室的規(guī)劃，預(yù)定今后幾年仍會(huì)投入到數(shù)百億美元在新科技和新材料的產(chǎn)品研發(fā)，繼續(xù)扮演臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊。臺(tái)積規(guī)劃新產(chǎn)品研發(fā)中心，基地位于新竹縣寶山鄉(xiāng)，面積約32.7公頃，目前全案已進(jìn)入環(huán)評(píng)補(bǔ)件階段，根據(jù)臺(tái)積電之前的資料，整個(gè)3nm晶圓廠預(yù)計(jì)會(huì)在2020年正式開工建設(shè)，耗資超過(guò)4000億新臺(tái)幣，折合879億人民幣或者130億美元。。臺(tái)積電幕僚表述，之后臺(tái)積電3納米以下的產(chǎn)品研發(fā)都會(huì)在此產(chǎn)品研發(fā)中心進(jìn)行。
鑒于摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認(rèn)為是zui后的一代硅基半導(dǎo)體工藝，因?yàn)?nm節(jié)點(diǎn)會(huì)遭遇嚴(yán)重的干擾。為了解決這個(gè)問題，三星宣布在3nm節(jié)點(diǎn)使用GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，借助使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該工藝可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要是取代FinFET晶體管工藝。
但臺(tái)積電方面表述，他們 的3nm工藝技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)十分順利，目前有初期的客戶已參與進(jìn)來(lái)，和臺(tái)積電一同進(jìn)行工藝定義，3nm工藝將會(huì)在今后更進(jìn)一步地穩(wěn)固臺(tái)積電的行業(yè)內(nèi)的地位。目前，3nm工藝仍在初期產(chǎn)品研發(fā)階段，臺(tái)積電也并沒有提供任何的技術(shù)細(xì)節(jié)，及其性能、功耗指標(biāo)，例如相比5nm工藝能提升多少，僅僅說(shuō)3nm將是一個(gè)新一代的工藝節(jié)點(diǎn)，而不是5nm的改良版。
臺(tái)積電僅僅說(shuō)，現(xiàn)已評(píng)定了3nm工藝全部可能的晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并與客戶一同獲得了特別好的解決方法，詳細(xì)規(guī)范已經(jīng)在進(jìn)一步開發(fā)中，公司有決心符合大客戶們的全部需要。
臺(tái)積電此前曾披露，規(guī)劃在2022年就量產(chǎn)3nm工藝。臺(tái)積電追求工藝自主，這幾年繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品研發(fā)規(guī)模，經(jīng)費(fèi)逐漸提升，光去年的產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)費(fèi)就已占營(yíng)收的8%，約達(dá)858.95億元之高，較前年的807.32億元增加，也超越臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界，今年占比估為8.6%，金額站上千億元，再寫新猷。
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