晶圓表面等離子處理的原理
文章導(dǎo)讀：等離子清洗是通過等離子體的作用來去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
為什么要去除光刻膠？
眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
在光刻環(huán)節(jié)里有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行完全清除。
等離子表面處理的工作原理
其中等離子表面處理的工作原理是，在真空狀態(tài)下，處理腔室中的壓力會越來越小，分子間距增加，導(dǎo)致分子間相互的力變小，而在這種情況下利用高頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場會將氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞，以此形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后有工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到等離子表面清潔、活化等目的。（雙腔體等離子處理機(jī)）
1、表面清潔
在先進(jìn)封裝中，PI膠或光刻膠經(jīng)濕法去膠后，表面仍然殘留一定的較薄的膠層；而在凸點(diǎn)工藝結(jié)束后，需要將下金屬層UBM多余的部分用濕法刻蝕除去，但是濕法去除并不徹底。通常使用O2 Plasma來去除殘膠，用Ar離子轟擊除去殘留金屬。
2、提高結(jié)合力
等離子轟擊晶圓表面，可以對表面進(jìn)行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面對晶圓表面進(jìn)行改性，這兩個措施都能提高基材與沉積膜層的結(jié)合力。
3、改善潤濕性
使用等離子處理后的材料，增加了表面的極性基團(tuán)，親水性提升，接觸角減小。
等離子清洗是通過等離子體的作用來去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
在光刻環(huán)節(jié)里有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進(jìn)行完全清除。
其中等離子表面處理的工作原理是，在真空狀態(tài)下，處理腔室中的壓力會越來越小，分子間距增加，導(dǎo)致分子間相互的力變小，而在這種情況下利用高頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場會將氧氣、氫氣、氬氣、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞，以此形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后有工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到等離子表面清潔、活化等目的。（雙腔體等離子處理機(jī)）
1、表面清潔
在先進(jìn)封裝中，PI膠或光刻膠經(jīng)濕法去膠后，表面仍然殘留一定的較薄的膠層；而在凸點(diǎn)工藝結(jié)束后，需要將下金屬層UBM多余的部分用濕法刻蝕除去，但是濕法去除并不徹底。通常使用O2 Plasma來去除殘膠，用Ar離子轟擊除去殘留金屬。
等離子轟擊晶圓表面，可以對表面進(jìn)行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面對晶圓表面進(jìn)行改性，這兩個措施都能提高基材與沉積膜層的結(jié)合力。
3、改善潤濕性
使用等離子處理后的材料，增加了表面的極性基團(tuán)，親水性提升，接觸角減小。
等離子清洗是通過等離子體的作用來去除晶圓表面的污染物和殘留物。等離子體是一種高能離子，具有很強(qiáng)的化學(xué)反應(yīng)性和機(jī)械作用力。當(dāng)?shù)入x子體與晶圓表面接觸時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理作用，從而去除表面的污染物和殘留物。
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