非接觸式除塵設(shè)備百科
文章導(dǎo)讀：今天我們來聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，說起半導(dǎo)體清洗，是指對晶圓表面進行無損傷清洗，用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率，為企業(yè)實現(xiàn)降本增效的目的。
非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的應(yīng)用。
今天我們來聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，說起半導(dǎo)體清洗，是指對晶圓表面進行無損傷清洗，用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率，為企業(yè)實現(xiàn)降本增效的目的。
半導(dǎo)體清洗在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中占有舉足輕重的位置，可以說清洗工藝貫穿整個半導(dǎo)體生產(chǎn)過程。
在硅片制造環(huán)節(jié)，經(jīng)拋光后的硅片，需要通過非接觸精密除塵設(shè)備這樣的清洗工藝來保證其表面的平整度和性能，從而提高在后續(xù)工藝中的良率；
在晶圓制造環(huán)節(jié)，晶圓經(jīng)過光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工序前后均需要清洗，去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì)，減小缺陷率；
在芯片封裝階段，芯片需要根據(jù)封裝工藝進行 TSV( 硅穿孔)清洗、除塵、UBMRDL(凸點底層金屬/薄膜再分布技術(shù))清洗、除塵。
前面說了清洗工藝占據(jù)整個半導(dǎo)體生產(chǎn)的過程，目前市場上的清洗工藝分為濕法清洗和干法清洗；濕法清洗主要分為溶液浸泡法、機械擦拭法、兆聲波清洗等；干法清洗主要分為旋風(fēng)式清洗、擦拭式清潔、超聲波式、等離子式清潔等。
目前市場上70%左右的企業(yè)都使用濕法清洗，而干法清洗正在不斷的被人們所熟知以及應(yīng)用，原因在于精密器件、高精尖的材料或者特殊材料需要干式清洗。從工藝環(huán)保角度，干式是物理清潔方式，濕式則是化學(xué)性處理方式，所以干式清洗不容易損害產(chǎn)品。
今天我們來聊一下非接觸除塵設(shè)備在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的應(yīng)用，說起半導(dǎo)體清洗，是指對晶圓表面進行無損傷清洗，用于去除半導(dǎo)體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能產(chǎn)生的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設(shè)備可以大幅提升芯片良率，為企業(yè)實現(xiàn)降本增效的目的。
在硅片制造環(huán)節(jié)，經(jīng)拋光后的硅片，需要通過非接觸精密除塵設(shè)備這樣的清洗工藝來保證其表面的平整度和性能，從而提高在后續(xù)工藝中的良率；
在晶圓制造環(huán)節(jié)，晶圓經(jīng)過光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工序前后均需要清洗，去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì)，減小缺陷率；
在芯片封裝階段，芯片需要根據(jù)封裝工藝進行 TSV( 硅穿孔)清洗、除塵、UBMRDL(凸點底層金屬/薄膜再分布技術(shù))清洗、除塵。
目前市場上70%左右的企業(yè)都使用濕法清洗，而干法清洗正在不斷的被人們所熟知以及應(yīng)用，原因在于精密器件、高精尖的材料或者特殊材料需要干式清洗。從工藝環(huán)保角度，干式是物理清潔方式，濕式則是化學(xué)性處理方式，所以干式清洗不容易損害產(chǎn)品。
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