微波等離子去膠機百科
文章導讀：微波等離子去膠機是一種在電子與通信技術(shù)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的工藝試驗儀器，主要用于去除光刻膠等有機物。以下是其相關(guān)介紹：
微波等離子去膠機是一種在電子與通信技術(shù)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的工藝試驗儀器，主要用于去除光刻膠等有機物。以下是其相關(guān)介紹：
工作原理
通常在真空環(huán)境下，利用微波發(fā)生器產(chǎn)生高頻微波（一般頻率為 2.45GHz），使通入的反應(yīng)氣體（如氧氣、CF4 等）發(fā)生電離，產(chǎn)生具有強氧化性的等離子體。這些等離子體中的活性粒子與光刻膠等有機物發(fā)生化學反應(yīng)，將其分解為二氧化碳、水等易揮發(fā)的物質(zhì)，然后通過真空系統(tǒng)抽走，從而達到去膠的目的。
結(jié)構(gòu)組成
主要包括微波發(fā)生器，用于產(chǎn)生微波能量；真空腔體，提供真空環(huán)境，保證等離子體穩(wěn)定產(chǎn)生和反應(yīng)進行；氣路系統(tǒng)，控制反應(yīng)氣體的種類和流量；樣品臺，放置待處理的晶圓或其他樣品，部分設(shè)備的樣品臺可旋轉(zhuǎn)或移動，以保證去膠均勻性；控制系統(tǒng)，實現(xiàn)對功率、壓力、時間、溫度等參數(shù)的精確控制，通常還具備智能控制功能，可通過軟件批量控制工藝處理數(shù)據(jù)。
技術(shù)參數(shù)
不同型號的微波等離子去膠機技術(shù)參數(shù)有所差異。一般真空壓力在 1-100 帕斯卡左右，微波發(fā)生器功率在 100-1000W 不等，可處理 2-8 英寸的晶圓片和方片，去膠均勻性可達 1.0% 左右，加熱溫度在 20-250℃可調(diào)，冷卻溫度在 20-0℃，最大批處理能力可達 25 片 6 寸樣品等。
產(chǎn)品特點
高效去膠：微波產(chǎn)生的高密度等離子體使活性粒子數(shù)量多，去膠速率快，例如部分設(shè)備去膠速率可達 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生產(chǎn)效率。
無損傷：采用化學性刻蝕的工作方式，相比物理轟擊方式，對襯底的損傷較低，尤其適用于對損傷敏感的材料和工藝。
均勻性好：通過合理設(shè)計腔體結(jié)構(gòu)、氣體分布和樣品臺運動方式等，可實現(xiàn)較好的去膠均勻性，如通過旋轉(zhuǎn)樣品臺，進一步提高去膠的均勻性。
環(huán)保安全：無需使用有害化學溶劑，避免了化學清洗產(chǎn)生的廢液污染，是一種綠色清潔的去膠技術(shù)。同時，微波波段無紫外排放，操作更安全。
適用性強：可以處理多種類型的光刻膠，包括正性及負性光刻膠、SU-8 負性光刻膠、聚酰亞胺光刻膠（PI）等，還可用于有機物去除、基片表面等離子改性等多種工藝。
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導體制造：在芯片制造過程中，用于光刻工藝后晶圓表面光刻膠的去除，為后續(xù)的刻蝕、離子注入等工藝做好準備，確保工藝的準確性和芯片的性能。
MEMS 制造：例如 MEMS 壓力傳感器加工工藝中，可對光刻膠進行批量處理，去除光刻膠以形成特定的微結(jié)構(gòu)。
平板顯示生產(chǎn)：用于平板顯示生產(chǎn)中的等離子體預(yù)處理，如在玻璃基板上進行光刻膠去除和表面改性，提高后續(xù)薄膜沉積、封裝等工藝的質(zhì)量。
太陽能電池生產(chǎn)：可用于太陽能電池生產(chǎn)中的邊緣絕緣和制絨工藝，去除光刻膠并對硅片表面進行處理，以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和性能。
先進晶片（芯片）封裝：對封裝過程中的襯底進行清潔和預(yù)處理，去除光刻膠和有機物雜質(zhì)，提高襯底表面的潔凈度和附著力，有利于后續(xù)的鍵合、封裝等工藝。
親，如果您對等離子體表面處理機有需求或者想了解更多詳細信息，歡迎點擊普樂斯的在線客服進行咨詢，或者直接撥打全國統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂斯恭候您的來電！
通常在真空環(huán)境下，利用微波發(fā)生器產(chǎn)生高頻微波（一般頻率為 2.45GHz），使通入的反應(yīng)氣體（如氧氣、CF4 等）發(fā)生電離，產(chǎn)生具有強氧化性的等離子體。這些等離子體中的活性粒子與光刻膠等有機物發(fā)生化學反應(yīng)，將其分解為二氧化碳、水等易揮發(fā)的物質(zhì)，然后通過真空系統(tǒng)抽走，從而達到去膠的目的。
結(jié)構(gòu)組成
主要包括微波發(fā)生器，用于產(chǎn)生微波能量；真空腔體，提供真空環(huán)境，保證等離子體穩(wěn)定產(chǎn)生和反應(yīng)進行；氣路系統(tǒng)，控制反應(yīng)氣體的種類和流量；樣品臺，放置待處理的晶圓或其他樣品，部分設(shè)備的樣品臺可旋轉(zhuǎn)或移動，以保證去膠均勻性；控制系統(tǒng)，實現(xiàn)對功率、壓力、時間、溫度等參數(shù)的精確控制，通常還具備智能控制功能，可通過軟件批量控制工藝處理數(shù)據(jù)。
技術(shù)參數(shù)
不同型號的微波等離子去膠機技術(shù)參數(shù)有所差異。一般真空壓力在 1-100 帕斯卡左右，微波發(fā)生器功率在 100-1000W 不等，可處理 2-8 英寸的晶圓片和方片，去膠均勻性可達 1.0% 左右，加熱溫度在 20-250℃可調(diào)，冷卻溫度在 20-0℃，最大批處理能力可達 25 片 6 寸樣品等。
高效去膠：微波產(chǎn)生的高密度等離子體使活性粒子數(shù)量多，去膠速率快，例如部分設(shè)備去膠速率可達 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生產(chǎn)效率。
無損傷：采用化學性刻蝕的工作方式，相比物理轟擊方式，對襯底的損傷較低，尤其適用于對損傷敏感的材料和工藝。
均勻性好：通過合理設(shè)計腔體結(jié)構(gòu)、氣體分布和樣品臺運動方式等，可實現(xiàn)較好的去膠均勻性，如通過旋轉(zhuǎn)樣品臺，進一步提高去膠的均勻性。
環(huán)保安全：無需使用有害化學溶劑，避免了化學清洗產(chǎn)生的廢液污染，是一種綠色清潔的去膠技術(shù)。同時，微波波段無紫外排放，操作更安全。
適用性強：可以處理多種類型的光刻膠，包括正性及負性光刻膠、SU-8 負性光刻膠、聚酰亞胺光刻膠（PI）等，還可用于有機物去除、基片表面等離子改性等多種工藝。
應(yīng)用領(lǐng)域：
半導體制造：在芯片制造過程中，用于光刻工藝后晶圓表面光刻膠的去除，為后續(xù)的刻蝕、離子注入等工藝做好準備，確保工藝的準確性和芯片的性能。
MEMS 制造：例如 MEMS 壓力傳感器加工工藝中，可對光刻膠進行批量處理，去除光刻膠以形成特定的微結(jié)構(gòu)。
平板顯示生產(chǎn)：用于平板顯示生產(chǎn)中的等離子體預(yù)處理，如在玻璃基板上進行光刻膠去除和表面改性，提高后續(xù)薄膜沉積、封裝等工藝的質(zhì)量。
太陽能電池生產(chǎn)：可用于太陽能電池生產(chǎn)中的邊緣絕緣和制絨工藝，去除光刻膠并對硅片表面進行處理，以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和性能。
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